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AP: André Noack
SiC
Störungsfreie UV-Detektion von Wellenlängen im Bereich von 200-400 nm
GaN
AI und In basierende GaN Schottky-Typ UV-Photodioden zur Detektion im Spektralbereich bis 400 nm (UVA, UVB, UVC)
GaP
Detektion von UV- und VIS-Strahlung in verschiedenen Spektralbereichen 150-580 nm, 200-580 nm, 245-400 nm, 450-
490 nm und 485-565 nm
Si
Photodioden mit Silizium als Halbleiterbasis für die Detektion von Wellenlängen zwischen 190 und 1100 nm, Singles,
Quads, Arrays, PSDs, Chips, etc.
Ge
Mit einem Wellenlängenbereich von 800nm-1800nm stellen die Ge-Photodioden eine Alternative zu den InGaAs-Photo-
dioden dar. Ihre Vorzüge liegen in der linearen Empfindlichkeit bei höheren Belastungsstärken und einem geringeren
Preis bei zunehmender Größe der aktiven Fläche. Aktive Flächen von 0,1 mm dia bis 13 mm dia
InGaAs
Mit einem Wellenlängenbereich von 800 nm-1700 nm stellen die InGaAs-Photodioden eine Alternative zu den Ge-Photo-
dioden dar. Ihre Vorzüge liegen in der Rauscharmut und den erreichbaren Bandbreiten. Aktive Flächen von 0,06 mm
dia bis 5 mm dia. Singles und Quads, TE-Kühler, LN2-Dewar
Extended InGaAs
800-2400 nm Empfindlichkeit, Sandwich, Singles, 50% Cut-off bei 2,05 µm oder 2,2 µm
Pc-HgCdTe
Singles: 0,025 mm sq. bis 2 mm sq., Quadrants, Linear Arrays von 2 bis 128 Elementen, Spektralbereich: 1 µm.....2 µm
bis 5 µm....20 µm, im LN2-Dewar, im JTC, mit TE1, TE2, TE3-Kühler
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